安森美推出新款RB系列硅光电倍增管

时间:2019-04-29 16:32来源:未知作者:xuji 点击:
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摘要:安森美推出新款RB系列硅光电倍增管,增强LiDAR低反射物体的远距离探测。安森美半导体(ON Semiconductor)近期推出了新款R系列硅光电倍增管(SiPM),提高了电磁波谱红色和近红外区域的灵敏度。

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据麦姆斯咨询报道,安森美半导体(ON Semiconductor)近期推出了新款R系列硅光电倍增管(SiPM),提高了电磁波谱红色和近红外区域的灵敏度。此次推出的RB系列SiPM传感器是R系列的最新版本,与之前的RA系列SiPM传感器相比,可提供更高的光子探测效率和更低的串扰。

安森美推出新款RB系列硅光电倍增管,增强LiDAR低反射物体的远距离探测

安森美半导体RB系列SiPM可在低偏置电压下实现单光子灵敏度、高响应度和快速信号响应。该系列光电传感器采用紧凑而坚固的模塑引线框架封装(MLP),适用于回流焊工艺。RB系列SiPM及其封装均针对规模生产而设计,以卷带形式交付。

RB系列SiPM的主要应用为采用905nm波长的激光雷达(LiDAR)和测距应用。相比雪崩光电二极管(APD)和PIN二极管,该系列SiPM传感器改善了高增益和单光子灵敏度。对于激光雷达(LiDAR)应用,这些特性可使LiDAR系统实现低反射率物体的远距离探测。与运行类似的仅能探测单光子的单光子雪崩二极管(SPAD)不同,SiPM通过“微元(microcell)”结构克服了这一限制,可实现具有高动态范围的多光子探测。

特性和优势:

高增益和探测效率

来自独特的“快速输出”端子

905nm处的PDE > 10%

单光子灵敏度

1mm传感器尺寸,并提供各种微型尺寸

 紧凑而坚固的MLP封装

偏置电压 < 50V

高响应度 > 100kA/W (905nm)

超快的上升时间和脉冲宽度

可提供带SMA连接器或引脚的评估板

应用领域:

3D测距和传感

医学影像

危险与威胁探测

生物光子学与科学应用

高能物理应用

【光粒网综合报道】( 责任编辑:xuji )
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